Sök efter MPN

Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V, 3 Ben, SOT-23

Name: Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V, 3 Ben, SOT-23
Brand: Toshiba
SKU: 236-3579
Price: 4.25 SEK
Availability: BackOrder

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

12 750,00 kr

(exkl. moms)

15 930,00 kr

(inkl. moms)

Tillfälligt slut

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	4,25 kr	12 750,00 kr

*vägledande pris

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Toshiba
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	SOT-23
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	43mΩ
	Maximal effektförlust Pd	2.4W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	9.3nC
	Framåtriktad spänning Vf	-0.9V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	2.4mm
	Höjd	0.8mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Toshiba
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp SOT-23
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 43mΩ
	Maximal effektförlust Pd 2.4W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.3nC
	Framåtriktad spänning Vf -0.9V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 2.4mm
	Höjd 0.8mm
	Fordonsstandard Nej

Toshibas fälteffekttransistor är tillverkad av kiselmaterial och har N-kanal MOS-typ. Den används främst i strömhanteringsomkopplingstillämpningar.

Lagringstemperaturområde -55 till 150 °C

Relaterade länkar

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.