Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

6 480,00 kr

(exkl. moms)

8 100,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,16 kr6 480,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
236-3579
Tillv. art.nr:
SSM3K341R,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

43mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

2.4W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.3nC

Framåtriktad spänning Vf

-0.9V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

2.9 mm

Höjd

0.8mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.4mm

Fordonsstandard

Nej

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Relaterade länkar