Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 60 V, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 681,00 kr

(exkl. moms)

4 602,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,227 kr3 681,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
236-3572
Tillv. art.nr:
SSM3J356R,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

400mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.3nC

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2.9 mm

Höjd

0.8mm

Längd

2.4mm

Fordonsstandard

Nej

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Relaterade länkar