Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 236-3574
- Tillv. art.nr:
- SSM3K329R,LF(T
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
- RS-artikelnummer:
- 236-3574
- Tillv. art.nr:
- SSM3K329R,LF(T
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 289mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.4mm | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 289mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.4mm | ||
Höjd 0.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Toshibas fälteffekttransistor är tillverkad av kiselmaterial och har N-kanal MOS-typ. Den används huvudsakligen i strömhanteringsomkopplings- och höghastighetsomkopplingstillämpningar.
Lagringstemperaturområde -55 till 150 °C
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 12 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 60 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 40 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
