Toshiba 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 3.5 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

8 106,00 kr

(exkl. moms)

10 134,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30002,702 kr8 106,00 kr
6000 - 60002,594 kr7 782,00 kr
9000 +2,558 kr7 674,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
171-2403
Tillv. art.nr:
SSM3K361R,LF(B
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Ytmontering

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

92mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

2.4W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Transistorkonfiguration

Enkel

Längd

2.9mm

Bredd

1.8mm

Höjd

0.7mm

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
TH
Strömstyrningsswitchar

DC/DC-omvandlare

175 MOSFET

4,5 V-drivning

Lågt drain-source-motstånd på

RDS(ON) = 65 mΩ (typ.) (vid VGS = 4,5 V)

RDS(ON) = 51 mΩ (typ.) (vid VGS = 10 V)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.