Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 40 V, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

2 880,00 kr

(exkl. moms)

3 600,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 15 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +0,96 kr2 880,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
236-3576
Tillv. art.nr:
SSM3K339R,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

220mΩ

Framåtriktad spänning Vf

-0.85V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.1nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

2.9 mm

Höjd

0.8mm

Längd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Relaterade länkar