Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 12 V, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

2 939,10 kr

(exkl. moms)

3 673,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 12 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
100 - 20029,391 kr
250 - 45028,762 kr
500 - 95028,134 kr
1000 +26,419 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3569P
Tillv. art.nr:
SSM3J338R,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

26.3mΩ

Maximal effektförlust Pd

2W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.5nC

Framåtriktad spänning Vf

0.75V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.4mm

Höjd

0.8mm

Fordonsstandard

Nej

Toshibas fälteffekttransistor är tillverkad av kiselmaterial och har P-kanal MOS-typ. Den används främst i strömhanteringsomkopplingstillämpningar.

Lagringstemperaturområde -55 till 150 °C

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.