Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 12 V, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

2 939,10 kr

(exkl. moms)

3 673,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 12 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
100 - 20029,391 kr
250 - 45028,762 kr
500 - 95028,134 kr
1000 +26,419 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3569P
Tillv. art.nr:
SSM3J338R,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

26.3mΩ

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10 V

Framåtriktad spänning Vf

0.75V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.5nC

Maximal effektförlust Pd

2W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.8mm

Längd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2.9 mm

Fordonsstandard

Nej

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Relaterade länkar