Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7363
- Tillv. art.nr:
- IAUS240N08S5N019ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1800 enheter)*
37 036,80 kr
(exkl. moms)
46 296,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1800 + | 20,576 kr | 37 036,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7363
- Tillv. art.nr:
- IAUS240N08S5N019ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 240A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | HSOG | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 240A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp HSOG | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon erbjuder ett brett utbud av 75 V–100 V N-kanalkvalificerade effekt-MOSFET för bil med den nya OptiMOS-tekniken i olika paket med ett RDS(on)-område från 1,2 mΩ upp till 190 mΩ genom att minska CO2-utsläppen från personbilar accelererar 48 V kortnettagningen och därför 48 V som startgeneratorer (huvudomvandlare), batterihuvudomkopplare, DCDC-omvandlare samt 48 V-hjälpdon. För denna framväxande marknad erbjuder Infineon ett brett sortiment av 80 V- och 100 V-MOSFET:er för fordon, som är inrymda i olika kapslingstyper som TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) och S308 (TSDSON-8), för att tillhandahålla lösningar för olika strömkrav samt olika kylkoncept på elektronisk styrenhetsnivå (ECU). Förutom 48 V-tillämpningar används 80 V- och 100 V-MOSFET:erna också till exempel i LED-belysning, bränsleinjektion samt trådlös laddning i fordon.
N-kanal – Förbättringsläge
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
Ultralåg Rds(on)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 165 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 310 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PG-HSOG-4-1, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PG-HSOG-4-1, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET och diod, 70 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
