Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

185,70 kr

(exkl. moms)

232,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 340 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 809,285 kr185,70 kr
100 - 1807,252 kr145,04 kr
200 - 4806,787 kr135,74 kr
500 - 9806,311 kr126,22 kr
1000 +5,852 kr117,04 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
220-7404
Tillv. art.nr:
IPD30N06S4L23ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET och diod

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

23mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16.1nC

Maximal effektförlust Pd

36W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22mm

Höjd

2.41mm

Längd

6.73mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-serien MOSFET och diod, 60 V maximal drain-källspänning, 30 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD30N06S4L23ATMA2


Denna MOSFET och diod är en strömomkopplande enhet som är utformad för högströmstillämpningar i krävande elektriska miljöer. Det är en N-kanals förstärkningstransistor med en integrerad diod, avsedd för ytmonterad implementering i system som kräver robust ledning och termisk tolerans. Komponenten fungerar över ett utökat temperaturområde och är konstruerad för att uppfylla fordonsbelastningskrav för användning i fordonselektronik och industriella kontroller.

Funktioner och fördelar:


• 60 V-klassning möjliggör omkoppling av strömskenor med måttlig spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 30 A stöder höga strömbelastningar
• 23 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• 36 W effektförlust möjliggör hållbar effekthantering
• 16,1 nC typisk grindladdning ger förutsägbart omkopplingsbeteende
• 1,3 V framspänning för effektiv diodledning

Användningsområden


• Lämplig för energihanteringsmoduler för fordon
• Idealisk för DC-motorsteg i fordon
• Används med högströmsomvandlare och regulatorer
• Kan användas för lastomkoppling i industriell utrustning
• Lämplig för ytmonterade enheter som kräver värmebeständighet

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas under användning?


Enheten får inte drivas utöver ±16 V gate-to-source för att förhindra grindbelastning.

Vilken kapsling och monteringsstil använder komponenten?


Den levereras i en TO-252-kapsel avsedd för ytmontering med tre stift.

Hur fungerar enheten i extrema temperaturer?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C för användning i miljöer med breda temperaturer.

Vilken typ av kanalkonduktion implementeras och hur påverkar det aktiveringen?


Den använder ett N-kanalförstärkningsläge, så en positiv grindspänning i förhållande till källan krävs för att slå på den.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.