Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 217-2485
- Tillv. art.nr:
- IAUT240N08S5N019ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
174,18 kr
(exkl. moms)
217,725 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 34,836 kr | 174,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2485
- Tillv. art.nr:
- IAUT240N08S5N019ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 240A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | HSOF | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 240A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp HSOF | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon 80 V, N-kanal, 1,9 mΩ max, fordons-MOSFET, TOLL, OptiMOSTM-5.
N-kanal – Förbättringsläge
AEC-godkänd
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
Grön produkt (RoHS-kompatibel)
Ultralåg Rds(on)
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 60 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-HSOF-8, OptiMOS 6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 30 V Förbättring, 9 Ben, HSOF, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 3