Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7464
- Tillv. art.nr:
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
131,265 kr
(exkl. moms)
164,085 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 30 enhet(er) levereras från den 15 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 8,751 kr | 131,27 kr |
| 75 - 135 | 8,325 kr | 124,88 kr |
| 150 - 360 | 7,967 kr | 119,51 kr |
| 375 - 735 | 7,616 kr | 114,24 kr |
| 750 + | 7,086 kr | 106,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7464
- Tillv. art.nr:
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 48W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 48W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 3.3mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon erbjuder ett brett utbud av 20 V-40 V N-kanal-kvalificerade effekt-MOSFET:er för bil med den nya OptiMOS-tekniken i en mängd olika paket för att möta en rad behov och uppnå RDS(on) ned till 0,6 mΩ. Den nya OptiMOS 6 och Optimos5 40 V referens MOSFET-tekniken möjliggör låga ledningsförluster (bästa i klass RDSon-prestanda), låga omkopplingsförluster (förbättrat omkopplingsbeteende), förbättrad diodåterhämtning och EMC-beteende. Denna MOSFET-teknik används i de mest avancerade och innovativa förpackningarna för att uppnå bästa produktprestanda och kvalitet. För ultimata designflexibilitet finns fordonskvalificerade MOSFET-transistorer tillgängliga i en mängd olika paket för att möta en rad behov. Infineon erbjuder kunderna en stadig ström av förbättringar i strömförmåga, omkopplingsbeteende, tillförlitlighet, paketstorlek och övergripande kvalitet. Den nyutvecklade integrerade halvbryggan är en innovativ och kostnadseffektiv paketlösning för motorstyrning och karosstillämpningar.
OptiMOSTM – effekt-MOSFET för fordonstillämpningar
N-kanal – Förbättringsläge – Logiknivå
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS P
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
