Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PG-HSOG-4-1, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-023
- Tillv. art.nr:
- IAUMN08S5N013GAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
137,76 kr
(exkl. moms)
172,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 68,88 kr | 137,76 kr |
| 20 - 198 | 62,05 kr | 124,10 kr |
| 200 - 998 | 57,175 kr | 114,35 kr |
| 1000 - 1998 | 53,03 kr | 106,06 kr |
| 2000 + | 47,655 kr | 95,31 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-023
- Tillv. art.nr:
- IAUMN08S5N013GAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Kapseltyp | PG-HSOG-4-1 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 138nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 307W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Kapseltyp PG-HSOG-4-1 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 138nC | ||
Maximal effektförlust Pd 307W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 350 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 80 V maximal dräneringskällspänning - IAUMN08S5N013GAUMA1
Denna logikmodul är utformad för mångsidiga tillämpningar inom industriell automation, med 8 digitala ingångar och 4 reläutgångar. Med mått på 90 mm x 71,5 mm x 60 mm är den kompakt men kraftfull. Modulen stöder en matningsspänning på 24 V DC och är kompatibel med LOGO! 8.4, utrustad med ett Ethernet-programmeringsgränssnitt för enkel integrering i nätverk.
Funktioner & fördelar
• Erbjuder 8 digitala ingångar och 4 reläutgångar för flexibel styrning
• Fungerar inom ett brett temperaturområde på -20 °C till +55 °C
• Stöder Ethernet-baserad programmering för förbättrad anslutning
• Har modulära expansionsmöjligheter för att möta projektkrav
• Använder ett standard microSD-kort för förbättrad datahantering
• Levererar en omkopplingskapacitet på upp till 10 A med resistiva laster
Användningsområden
• Används med LOGO! 8.4-system för automationsstyrning
• Idealisk för integrering i byggnadsförvaltningssystem
• Effektiv inom tillverkning för processautomationsuppgifter
• Lämplig för systemövervakning via en integrerad webbserver
Vilka specifikationer bör jag vara medveten om före installation?
Modulen fungerar vid 24 V DC, med ingångs- och utgångsspecifikationer inklusive en maximal reläomkopplingskapacitet på 10 A och en tillåten spänning Se till att installationen följer dessa parametrar för optimal funktionalitet.
Hur kan denna modul förbättra datahanteringen i automationsprojekt?
Den integrerade webbservern gör det möjligt för användare att skapa användardefinierade webbsidor för övervakning och styrning, vilket förenklar dataloggning och möjliggör fjärråtkomst för projektövervakning. Kompatibilitet med ett standard microSD-kort underlättar också enkel datalagring och hämtning.
Vilken typ av miljöförhållanden tål den?
Denna enhet är lämplig för drift i omgivningstemperaturer från -20 °C till +55 °C, vilket säkerställer tillförlitlig prestanda i olika industriella miljöer, inklusive utomhustillämpningar. Korrekt hantering under installationen bibehåller dess driftsintegritet.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 310 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PG-HSOG-4-1, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-60, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 310 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PG-HSOG-4-1, IAU AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 165 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 275 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, OptiMOS-TM5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 131 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-TM5
