Infineon N Kanal, MOSFET, 350 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PG-HSOG-4-1, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-023
- Tillv. art.nr:
- IAUMN08S5N013GAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 20 till för att spara 136,60 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
137,76 kr
(exkl. moms)
172,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 2 000 enhet(er) levereras från den 18 mars 2027
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 68,88 kr | 137,76 kr | - |
| 20 - 198 | 62,05 kr | 124,10 kr | 136,60 kr |
| 200 - 998 | 57,175 kr | 114,35 kr | 2 341,00 kr |
| 1000 - 1998 | 53,03 kr | 106,06 kr | 15 850,00 kr |
| 2000 + | 47,655 kr | 95,31 kr | 42 450,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-023
- Tillv. art.nr:
- IAUMN08S5N013GAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PG-HSOG-4-1 | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 307W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 138nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PG-HSOG-4-1 | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 307W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 138nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 350 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 80 V maximal dräneringskällspänning - IAUMN08S5N013GAUMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vilka specifikationer bör jag vara medveten om före installation?
Hur kan denna modul förbättra datahanteringen i automationsprojekt?
Vilken typ av miljöförhållanden tål den?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 310 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PG-HSOG-4-1, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 66 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-60, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 310 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PG-HSOG-4-1, IAU AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 165 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 275 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, OptiMOS-TM5
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO263-3, OptiMOS AEC-Q101
