Infineon N Kanal, MOSFET, 310 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PG-HSOG-4-1, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-024
- Tillv. art.nr:
- IAUMN10S5N016GAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 20 till för att spara 164,60 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
165,42 kr
(exkl. moms)
206,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 500 enhet(er) är redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 82,71 kr | 165,42 kr | - |
| 20 - 198 | 74,48 kr | 148,96 kr | 164,60 kr |
| 200 - 998 | 68,655 kr | 137,31 kr | 2 811,00 kr |
| 1000 - 1998 | 63,615 kr | 127,23 kr | 19 095,00 kr |
| 2000 + | 57,12 kr | 114,24 kr | 51 180,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-024
- Tillv. art.nr:
- IAUMN10S5N016GAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 310A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PG-HSOG-4-1 | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 142nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 325W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 310A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PG-HSOG-4-1 | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 142nC | ||
Maximal effektförlust Pd 325W | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 310 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 100 V maximal dräneringskällspänning – IAUMN10S5N016GAUMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vilka typer av ingångar stöder denna modul?
Är det möjligt att utöka minnet för komplexa projekt?
Hur förbättrar Ethernet-programmeringsgränssnittet användbarheten?
Vilken betydelse har reläutgångarna?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 350 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PG-HSOG-4-1, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 310 A 100 V Förbättring, 4 Ben, PG-HSOG-4-1, IAU AEC-Q101
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-61, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 66 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-60, OptiMOS-TM5 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 165 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 275 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, OptiMOS-TM5
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 310 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
