Infineon Typ P Kanal, MOSFET och diod, 70 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7412
- Tillv. art.nr:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
46,49 kr
(exkl. moms)
58,11 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 080 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 4,649 kr | 46,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7412
- Tillv. art.nr:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon offers a wide portfolio of P-channel automotive power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO220, TO262 and SO8 package with the technology of OptiMOS -P2 and Gen5.
P-channel - Logic Level - Enhancement mode
No charge pump required for high side drive.
Simple interface drive circuit
World's lowest RDSon at 40V
Highest current capability
Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal 70 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 90 A 30 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 90 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 30 A 60 V Förbättring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 70 A 120 V Förbättring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 70 A 30 V Förbättring TO-252, OptiMOS P
- Infineon Typ P Kanal 90 A 40 V Förbättring TO-252, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 310 mA 20 V Förbättring SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
