STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

67 767,00 kr

(exkl. moms)

84 708,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +22,589 kr67 767,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
192-4658
Tillv. art.nr:
STL26N60DM6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

15A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

PowerFLAT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

215mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

110W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

8.1mm

Höjd

0.9mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Relaterade länkar