STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- RS-artikelnummer:
- 366-222
- Tillv. art.nr:
- STL170N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
34 386,00 kr
(exkl. moms)
42 984,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 11,462 kr | 34 386,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 366-222
- Tillv. art.nr:
- STL170N4LF8
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 167A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Uteffekt | 111W | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Längd | 5.1mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC (JESD51-5,-7) | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 167A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Uteffekt 111W | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Längd 5.1mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC (JESD51-5,-7) | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics 40 V N channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. It ensures a state of the art of figure of merit for very low on state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for faster and more efficient switching.
MSL1 grade
175 °C maximum operating junction temperature
100 percent avalanche tested
Low gate charge Qg
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, N-kanals MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 304 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL