STMicroelectronics N Kanal, Enkla MOSFETs, 39 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, ST8L60
- RS-artikelnummer:
- 648-108
- Tillv. art.nr:
- ST8L60N065DM9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
52,24 kr
(exkl. moms)
65,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 274 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 52,24 kr |
| 10 - 49 | 42,26 kr |
| 50 - 99 | 32,34 kr |
| 100 + | 26,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 648-108
- Tillv. art.nr:
- ST8L60N065DM9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 39A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | ST8L60 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 202W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 8.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Längd | 8.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 39A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie ST8L60 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 202W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 8.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.95mm | ||
Längd 8.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET är baserad på den mest innovativa super-junction MDmesh DM9-tekniken, lämplig för MOSFET med medel-/högspänning med mycket låg RDS(on) per yta kopplad med en diod med snabb återhämtning. Den silikonbaserade DM9-tekniken drar nytta av en tillverkningsprocess med flera avlopp som möjliggör en förbättrad enhetsstruktur. Den snabba återhämtningsdioden med mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), tid (trr) och RDS(on) gör denna snabba super-korsande effekt-MOSFET skräddarsydd för de mest krävande högeffektiva bryggtopologierna och ZVS-fasförskjutningsomvandlare.
Låg grindladdning
Låg ingångskapacitans och motstånd
100-procentigt lavintestat
Utmärkta omkopplingsegenskaper
PowerFLAT 8x8 HV-paket
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, Enkla MOSFETs, 58 A 650 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, ST8L65
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II