STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- RS-artikelnummer:
- 192-4882
- Tillv. art.nr:
- STL26N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 2%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
123,54 kr
(exkl. moms)
154,43 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 165 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 24,708 kr | 123,54 kr | - |
| 50 - 245 | 24,09 kr | 120,45 kr | 2% |
| 250 - 495 | 23,522 kr | 117,61 kr | 4% |
| 500 + | 22,014 kr | 110,07 kr | 10% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 192-4882
- Tillv. art.nr:
- STL26N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 215mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 900μm | |
| Bredd | 8.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 8.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 215mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 900μm | ||
Bredd 8.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 8.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna högspännings N-kanal Power MOSFET är en del av MDmeshTM DM6-diodserien med snabb återhämtning. Jämfört med den tidigare MDmesh-snabba generationen kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med effektivt omkopplingsbeteende för de mest krävande högeffektiva bryggtopologierna och ZVS-fasskiftomvandlare.
Husdiod med snabb återhämtning
Lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation
Låg grindladdning, ingångskapacitet och motstånd
Extremt hög dv/dt robusthet
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, Enkla MOSFETs, 39 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, ST8L60
- STMicroelectronics N-kanal N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL160
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT