STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- RS-artikelnummer:
- 192-4656
- Tillv. art.nr:
- STL10N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
29 571,00 kr
(exkl. moms)
36 963,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 9,857 kr | 29 571,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 192-4656
- Tillv. art.nr:
- STL10N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 660mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 48W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5 mm | |
| Längd | 6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 660mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 48W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5 mm | ||
Längd 6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5.5 A 600 V Förbättring PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal 25 A 600 V Förbättring PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal 15 A 600 V Förbättring PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal 22 A 600 V Förbättring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 39 A 600 V Förbättring PowerFLAT, ST8L60
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal 167 A 40 V Förbättring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal 160 A 60 V Förbättring PowerFLAT, STL160
- STMicroelectronics Typ N Kanal 125 A 100 V Förbättring PowerFLAT
