STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
783-3113
Tillv. art.nr:
STL36N55M5
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

22A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

PowerFLAT

Serie

MDmesh M5

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

90mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-25V, +25V

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

2.8W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

62nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

8mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

8mm

Höjd

950μm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals MDmesh™ M5-serien, STMicroelectronics


Effekt-MOSFET:erna i MDmesh M5-serien är optimerade för högeffekts PFC- och PWM-topologier. Bland de viktigaste egenskaperna kan nämnas låga on-state-förluster per kiselarea i kombination med låg gate-laddning. De är konstruerade för energimedvetna, kompakta och tillförlitliga applikationer med hård switchning, t.ex. solenergiomvandlare, strömförsörjning för konsumentprodukter och elektronisk belysningskontroll.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.