STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- RS-artikelnummer:
- 783-3113
- Tillv. art.nr:
- STL36N55M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
321,22 kr
(exkl. moms)
401,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 095 enhet(er) från den 26 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 64,244 kr | 321,22 kr |
| 50 - 120 | 58,526 kr | 292,63 kr |
| 125 + | 48,762 kr | 243,81 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 783-3113
- Tillv. art.nr:
- STL36N55M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 90mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 62nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.8W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Längd | 8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 90mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 62nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.8W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.95mm | ||
Längd 8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™ M5-serien, STMicroelectronics
Effekt-MOSFET:erna i MDmesh M5-serien är optimerade för högeffekts PFC- och PWM-topologier. Bland de viktigaste egenskaperna kan nämnas låga on-state-förluster per kiselarea i kombination med låg gate-laddning. De är konstruerade för energimedvetna, kompakta och tillförlitliga applikationer med hård switchning, t.ex. solenergiomvandlare, strömförsörjning för konsumentprodukter och elektronisk belysningskontroll.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 710 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 710 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MDmesh V effekt-MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh M5