STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL160
- RS-artikelnummer:
- 358-984
- Tillv. art.nr:
- STL160N6LF7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
15,57 kr
(exkl. moms)
19,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 15,57 kr |
| 10 - 99 | 14,11 kr |
| 100 - 499 | 12,88 kr |
| 500 - 999 | 11,98 kr |
| 1000 + | 10,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 358-984
- Tillv. art.nr:
- STL160N6LF7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Arbetsfrekvens | 1 MHz | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Uteffekt | 125W | |
| Serie | STL160 | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Längd | 4.8mm | |
| Bredd | 6.1 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Arbetsfrekvens 1 MHz | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Uteffekt 125W | ||
Serie STL160 | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Höjd 0.9mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Längd 4.8mm | ||
Bredd 6.1 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET, based on STripFET F7 technology, delivers exceptionally low on-state resistance (RDS(on)) for enhanced efficiency. Its design ensures reduced capacitance and gate charge, enabling faster and more efficient switching with excellent EMI immunity.
Excellent FoM
Low Crss by Ciss ratio for EMI immunity
High avalanche ruggedness
Logic level VGS