Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 12 V Förbättring, 6 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 180-7932
- Tillv. art.nr:
- SI8483DB-T2-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i en förpackning med 25)*
153,33 kr
(exkl. moms)
191,65 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 6,133 kr | 153,33 kr |
| 250 - 600 | 5,815 kr | 145,38 kr |
| 625 - 1225 | 4,417 kr | 110,43 kr |
| 1250 - 2475 | 3,996 kr | 99,90 kr |
| 2500 + | 3,378 kr | 84,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7932
- Tillv. art.nr:
- SI8483DB-T2-E1
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | MIKROFOT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 26mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 13W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 1.5mm | |
| Höjd | 0.59mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp MIKROFOT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 26mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 13W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 1.5mm | ||
Höjd 0.59mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay Siliconix Si8483DB-serien TrenchFET med dubbel N-kanal effekt-MOSFET har en dränerings-till-källspänning på 12 V. Den har en maximal effektförlust på 13 W och används huvudsakligen i lastomkopplare i bärbara enheter.
Lågt spänningsfall
Låg strömförbrukning
Ökad batteritid
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 12 V Förbättring, 6 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, Si8489EDB
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -6.3 A -30 V Förbättringsläge, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 3.5 A 8 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, SI8802DB
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 8 V, 6 Ben, MIKROFOT
- Vishay N Kanal, MOSFET, 2.1 A 20 V, 4 Ben, MIKROFOT, SI8824EDB
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -101.4 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET