Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -101.4 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 904-975
- Tillv. art.nr:
- SIR4407DP-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
14,67 kr
(exkl. moms)
18,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 14,67 kr |
| 10 - 24 | 9,56 kr |
| 25 - 99 | 5,63 kr |
| 100 - 499 | 5,50 kr |
| 500 + | 5,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 904-975
- Tillv. art.nr:
- SIR4407DP-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | P-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -101.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0045Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 82.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 88.3W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Längd | 6.15mm | |
| Standarder/godkännanden | ROHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp P-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -101.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0045Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 82.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 88.3W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.15mm | ||
Längd 6.15mm | ||
Standarder/godkännanden ROHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- IL
Vishays P-kanal MOSFET fungerar som en tillförlitlig elektronisk omkopplare, utformad för att hantera hög spänning och ström effektivt. Den är speciellt utformad för olika strömhanteringstillämpningar, vilket säkerställer robusta prestanda i krävande miljöer.
Fungerar vid en dräneringskällspänning på -40 V för ökad tillförlitlighet
Ultralåg påslagningsresistans säkerställer minimal effektförlust under drift
Helt testad för R och UIS för att garantera prestanda under påfrestande förhållanden
Ger en maximal effektförlust på 5,0 W, vilket möjliggör kallare drift
Relaterade länkar
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -136.7 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -267 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -153.2 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -136.7 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 208 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 201.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET