Vishay N Kanal, MOSFET, 3.5 A 8 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, SI8802DB

RS-artikelnummer:: 180-7724
Tillv. art.nr:: SI8802DB-T2-E1
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 3.5 A 8 V Förbättring, 4 Ben, MIKROFOT, SI8802DB

Antal (25 enheter, i en förpackning med 25)*

101,48 kr

(exkl. moms)

126,85 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 150 enhet(er) från den 28 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 +	4,059 kr	101,48 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7724
Tillv. art.nr:: SI8802DB-T2-E1
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	8V
	Kapseltyp	MIKROFOT
	Serie	SI8802DB
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	54mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	5V
	Maximal effektförlust Pd	0.6W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	4.3nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	0.8mm
	Längd	0.8mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 8V
	Kapseltyp MIKROFOT
	Serie SI8802DB
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 54mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 5V
	Maximal effektförlust Pd 0.6W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.3nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 0.8mm
	Längd 0.8mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

Vishay SI8802DB-serien MOSFET, 3,5 A maximal kontinuerlig drain-ström, 8 V maximal drain-källspänning - SI8802DB-T2-E1

Denna MOSFET med n-kanalförstärkning är utformad för lågspänningsomkopplings- och strömhanteringsuppgifter i kompakta ytmonteringsenheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för konstruktioner som kräver ett litet fotavtryck och måttlig kontinuerlig strömkapacitet. Enheten uppfyller RoHS-kraven och levereras i ett mycket kompakt mikropaket för kortlayouter med hög densitet.

Funktioner och fördelar:

• Motståndet på 54 mΩ minskar ledningsförluster och värmeutveckling
• 8 V drain-source-klassning möjliggör lågspänningseffektsteg
• 3,5 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 4,3 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare växlingsövergångar
• Maximalt 0,6 W effektförlust begränsar termisk påfrestning under belastning
• Drifttemperaturområde på -55 °C till 150 °C säkerställer bred termisk tolerans

Användningsområden

• Lämplig för batteridriven lågspännings-DC-strömomkoppling
• Idealisk för kompakta strömhanteringsmoduler på små kretskort
• Används med motor-drivsteg som kräver snabb omkoppling
• Kan användas för omkoppling av strömskenor till bärbara enheter
• Används för lastväxling i täta ytmonteringsenheter

Vilket antal stift och monteringsstil använder den?

Den levereras som en fyrpolig enhet avsedd för ytmonterad montering i ett mikrofotavtryck.

Hur begränsar dess termiska prestanda kretskortsdesignen?

Med en maximal dissipation på 0,6 W och ett litet paket rekommenderas tillräcklig kopparyta eller termiska vägar för att sprida värme och förhindra lokal temperaturökning.

Vilka överväganden om gating rekommenderas för snabb omkoppling?

Den typiska grindladdningen på 4,3 nC vid den angivna grindspänningen kräver drivsteg som kan generera och sänka tillräckligt med ström för att uppnå önskade kanthastigheter.

Vilka spänningsgränser måste respekteras för säker drift?

Enheten får inte överskrida en dränering-källa-differential på 8 V och en grind-källa-amplitud på 5 V för att hålla sig inom angivna elektriska gränser.