IXYS N Kanal, MOSFET, 12 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, Linear

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

5 091,06 kr

(exkl. moms)

6 363,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +169,702 kr5 091,06 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4606
Tillv. art.nr:
IXTH12N100L
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

1kV

Serie

Linear

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.3Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

400W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

155nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

21.46mm

Bredd

5.3mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

16.26mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS Linear-serien


N-kanaliga Power MOSFETs speciellt konstruerade för linjär drift. Dessa enheter har utökat FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) för ökad robusthet och tillförlitlighet.

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.