IXYS N Kanal, MOSFET, 22 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear
- RS-artikelnummer:
- 686-7865
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-431
- Tillv. art.nr:
- IXTN22N100L
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
703,70 kr
(exkl. moms)
879,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 167 enhet(er) från den 12 oktober 2026
- Dessutom levereras 3 enhet(er) från den 12 oktober 2026
- Dessutom levereras 51 enhet(er) från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 703,70 kr |
| 2 - 4 | 619,92 kr |
| 5 - 9 | 603,68 kr |
| 10 - 19 | 588,22 kr |
| 20 + | 573,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 686-7865
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-431
- Tillv. art.nr:
- IXTN22N100L
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1kV | |
| Kapseltyp | SOT-227 | |
| Serie | Linear | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 270nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 700W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 38.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.6mm | |
| Bredd | 25.07mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1kV | ||
Kapseltyp SOT-227 | ||
Serie Linear | ||
Typ av fäste Panel | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 270nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 700W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 38.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.6mm | ||
Bredd 25.07mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS Linear-serien
N-kanaliga Power MOSFETs speciellt konstruerade för linjär drift. Dessa enheter har utökat FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) för ökad robusthet och tillförlitlighet.
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 22 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear
- IXYS N Kanal, MOSFET, 46 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear
- IXYS N Kanal, MOSFET, 62 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear
- IXYS N Kanal, MOSFET, 178 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear L2
- IXYS N Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS N Kanal, MOSFET, 36 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS N Kanal, MOSFET, 28 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 12 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, Linear