IXYS 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 22 A 1000 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, Linear
- RS-artikelnummer:
- 146-1713
- Tillv. art.nr:
- IXTK22N100L
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (1 rör med 25 enheter)*
10 904,90 kr
(exkl. moms)
13 631,125 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 + | 436,196 kr | 10 904,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-1713
- Tillv. art.nr:
- IXTK22N100L
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1000V | |
| Serie | Linear | |
| Kapseltyp | TO-264 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30, -30V | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 19.96mm | |
| Bredd | 5.13mm | |
| Höjd | 26.16mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1000V | ||
Serie Linear | ||
Kapseltyp TO-264 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30, -30V | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 19.96mm | ||
Bredd 5.13mm | ||
Höjd 26.16mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS Linear-serien
N-kanals Power MOSFETs som är speciellt utformade för linjär drift. Dessa enheter har ett utökat Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) för ökad robusthet och tillförlitlighet.
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett sortiment av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 22 A 1000 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, Linear
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, Linear
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 178 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear L2
