IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- RS-artikelnummer:
- 146-4234
- Tillv. art.nr:
- IXFH60N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
2 675,79 kr
(exkl. moms)
3 344,73 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 89,193 kr | 2 675,79 kr |
| 150 - 270 | 82,148 kr | 2 464,44 kr |
| 300 + | 80,095 kr | 2 402,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4234
- Tillv. art.nr:
- IXFH60N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | HiperFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 52mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 780W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 108nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 21.34mm | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie HiperFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 52mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 780W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 108nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 21.34mm | ||
Bredd 5.21mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Låg R och Q
Avalanche-klassad
Låg kapslingsinduktans
Fördelar
Hög effekttäthet
Enkla att montera
Utrymmesbesparande
Användningsområden
Switchade och resonanta nätaggregat
DC/DC-omvandlare
PFC-kretsar
AC- och DC-motordrivkretsar
Robotteknik och servokontroller
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 145 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-268, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3