IXYS N Kanal, MOSFET, 178 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear L2
- RS-artikelnummer:
- 125-8048
- Tillv. art.nr:
- IXTN200N10L2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (1 enhet)*
692,27 kr
(exkl. moms)
865,34 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 692,27 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 125-8048
- Tillv. art.nr:
- IXTN200N10L2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 178A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOT-227 | |
| Serie | Linear L2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 540nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal effektförlust Pd | 830W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 9.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 38.23mm | |
| Bredd | 25.07mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 178A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOT-227 | ||
Serie Linear L2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 540nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal effektförlust Pd 830W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 9.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 38.23mm | ||
Bredd 25.07mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS Linear-serien
N-kanaliga Power MOSFETs speciellt konstruerade för linjär drift. Dessa enheter har utökat FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) för ökad robusthet och tillförlitlighet.
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 178 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear L2
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, Linear
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 150 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 850 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 145 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET