IXYS N Kanal, MOSFET, 18 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class
- RS-artikelnummer:
- 168-4698
- Tillv. art.nr:
- IXFH18N100Q3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (30 enheter, i ett rör med 30)*
5 309,58 kr
(exkl. moms)
6 636,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 176,986 kr | 5 309,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-4698
- Tillv. art.nr:
- IXFH18N100Q3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1kV | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 660mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 90nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30, +30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 830W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 16.26mm | |
| Höjd | 16.26mm | |
| Bredd | 5.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1kV | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 660mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 90nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30, +30V | ||
Maximal effektförlust Pd 830W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 16.26mm | ||
Höjd 16.26mm | ||
Bredd 5.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- US
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3-serien
IXYS Q3-klass av HiperFET™ Power MOSFETs är lämpliga för både hård switchning och resonansapplikationer, och erbjuder låg gate-laddning med exceptionell robusthet. Enheterna har en snabb egendiod och finns tillgängliga i en mängd olika industristandardiserade paket, inklusive isolerade typer, med märkdata på upp till 1100 V och 70 A. Typiska applikationer är DC-DC-omvandlare, batteriladdare, switchade och resonansmodade nätaggregat, DC Choppers, temperatur- och belysningsstyrning.
Snabb inbyggd likriktardiod
Låg RDS(on) och QG (grindladdning)
Låg inneboende grindresistans
Industriella standardpaket
Låg induktans i paketet
Hög effekttäthet
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 18 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 18 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 32 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 10 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 70 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 30 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 32 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class