IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-268, HiperFET
- RS-artikelnummer:
- 146-4378
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-402
- Tillv. art.nr:
- IXFT60N65X2HV
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
143,02 kr
(exkl. moms)
178,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 17 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 143,02 kr |
| 5 - 9 | 134,96 kr |
| 10 + | 130,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4378
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-402
- Tillv. art.nr:
- IXFT60N65X2HV
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | HiperFET | |
| Kapseltyp | TO-268 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 52mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 780W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 108nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 16.05mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie HiperFET | ||
Kapseltyp TO-268 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 52mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 780W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 108nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 16.05mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Låg RDS(ON) och Qg
Fast Body-diod
dv/dt-tålighet
Avalanche-klassad
Låg induktans i paketet
Internationella standardpaket
Resonansnätaggregat
HID-lampförstärkare (High Intensity Discharge)
AC- och DC-motordrivkretsar
DC-DC-omvandlare
Robot- och servostyrning
Batteriladdare
3-nivås solcellsväxelriktare
LED-belysning
Obemannade flygfarkoster (UAV)
Högre effektivitet
Hög effekttäthet
Enkla att montera
Utrymmesbesparande
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-268, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 145 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HiperFET, X2-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, X2-Class