IXYS N Kanal, MOSFET, 100 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, X2-Class
- RS-artikelnummer:
- 917-1429
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-341
- Tillv. art.nr:
- IXFK100N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
223,66 kr
(exkl. moms)
279,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 75 enhet(er) levereras från den 27 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 223,66 kr |
| 2 - 4 | 212,24 kr |
| 5 - 9 | 201,38 kr |
| 10 + | 196,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 917-1429
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-341
- Tillv. art.nr:
- IXFK100N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | HiperFET, X2-Class | |
| Kapseltyp | TO-264 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 30mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 183nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.04kW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 26.3mm | |
| Längd | 20.3mm | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie HiperFET, X2-Class | ||
Kapseltyp TO-264 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 30mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 183nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.04kW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 26.3mm | ||
Längd 20.3mm | ||
Höjd 5.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2-serien
IXYS X2-klass HiPerFET Power MOSFET-serie erbjuder betydligt lägre on-motstånd och gate-laddning jämfört med tidigare generationer av Power MOSFET, vilket resulterar i minskade förluster och högre effektivitet. Dessa robusta enheter innehåller en förbättrad höghastighetsdiod och är lämpliga för både hård switchning och resonansapplikationer. Power MOSFET:er i X2-klassen finns i en mängd olika industristandardiserade kapslingar, inklusive isolerade typer, med märkdata på upp till 120 A vid 650 V. Typiska tillämpningar är DC-DC-omvandlare, AC- och DC-motordrifter, switchade och resonansmodade nätaggregat, DC Choppers, solcellsväxelriktare, temperatur- och belysningsstyrning.
Mycket låg RDS(on) och QG (grindladdning)
Snabb inbyggd likriktardiod
Låg inneboende grindresistans
Låg induktans i paketet
Industriella standardpaket
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 100 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 120 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HiperFET, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 32 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 64 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Q3-Class