IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- RS-artikelnummer:
- 146-4236
- Distrelec artikelnummer:
- 304-30-535
- Tillv. art.nr:
- IXFH80N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (1 rör med 30 enheter)*
3 307,35 kr
(exkl. moms)
4 134,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 20 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 110,245 kr | 3 307,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4236
- Distrelec artikelnummer:
- 304-30-535
- Tillv. art.nr:
- IXFH80N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | HiperFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 38mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 890W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 140nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 21.34mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie HiperFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 38mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 890W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 140nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 21.34mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Låg RDS(ON) och Qg
Snabb kroppsdiod
dv/dt-robusthet
Avalanche-klassad
Låg induktans i paketet
Internationella standardpaket
Strömförsörjning med resonansläge
Ballast för högintensiva urladdningslampor (HID)
AC- och DC-motordrifter
DC-DC-omvandlare
Robot- och servostyrning
Batteriladdare
solcellsväxelriktare med 3 nivåer
LED-belysning
Obemannade flygfarkoster (UAV)
Högre effektivitet
Hög effekttäthet
Enkla att montera
Utrymmesbesparingar
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- IXYS Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 80 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 145 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-268, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET