IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 145 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- RS-artikelnummer:
- 146-4398
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-364
- Tillv. art.nr:
- IXFN150N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
641,09 kr
(exkl. moms)
801,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 641,09 kr |
| 5 + | 573,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4398
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-364
- Tillv. art.nr:
- IXFN150N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 145A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 335nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.04kW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 9.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 38.23mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 145A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp SOT-227 | ||
Serie HiperFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 335nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.04kW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 9.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 38.23mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Låg RDS(ON) och Qg
Fast Body-diod
dv/dt-tålighet
Avalanche-klassad
Låg induktans i paketet
Internationella standardpaket
Resonansnätaggregat
HID-lampförstärkare (High Intensity Discharge)
AC- och DC-motordrivkretsar
DC-DC-omvandlare
Robot- och servostyrning
Batteriladdare
3-nivås solcellsväxelriktare
LED-belysning
Obemannade flygfarkoster (UAV)
Högre effektivitet
Hög effekttäthet
Enkla att montera
Utrymmesbesparande
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 145 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 850 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 850 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar