IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- RS-artikelnummer:
- 146-4405
- Tillv. art.nr:
- IXFN170N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
650,63 kr
(exkl. moms)
813,29 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 650,63 kr |
| 5 + | 558,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4405
- Tillv. art.nr:
- IXFN170N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 170A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | HiperFET | |
| Kapseltyp | SOT-227 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.17kW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 434nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 38.23mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie HiperFET | ||
Kapseltyp SOT-227 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.17kW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 434nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 38.23mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS), a global manufacturer of power semiconductors and integrated circuits (ICs) for energy efficiency, power management, transportation, medical, and motor control applications, announces an expansion of its Ultra Junction Power MOSFET product line: 650V X2-Class Power MOSFETs with fast body diodes. With on-resistance as low as 17 milliohms and current ratings ranging from 22A to 150A, these devices are optimized for soft-switching resonant-mode power conversion applications.The intrinsic fast body diodes HiPerFETs™ of the MOSFETs display very soft recovery characteristics, minimizing electromagnetic interference (EMI), especially in half or full-bridge switching topologies. With low reverse recovery charge and time, the body diodes can be utilized to make sure that all the energies are removed during high-speed switching to avoid device failure and achieve high efficiency. Like other Ultra Junction MOSFETs from IXYS, these new devices have been developed using a charge compensation principle and proprietary process technology, resulting in Power MOSFETs with significantly reduced on-resistance and gate charge. They also exhibit a superior dv/dt performance and are avalanche rated as well. Thanks to the positive temperature coefficient of their on-state resistance, they can be operated in parallel to meet higher current requirements.Suitable applications include resonant-mode power supplies, high intensity discharge (HID) lamp ballast, AC and DC motor drives, DC-DC converters, robotic and servo control, battery chargers, 3-level solar inverters, and LED lighting.These new 650V X2 Power MOSFETs with HiPerFET™ body diodes are available in the following international standard size packages: TO-220, TO-263, SOT-227, TO-247, PLUS247, TO-264, and PLUS264. Some example part numbers include IXFA22N65X2, IXFH46N65X2, IXFK120N65X2, and IXFN150N65X2, with drain current ratings of 22A, 34A, 120A, and 145A, respectively.
Low RDS(ON) and Qg
Fast body diode
dv/dt ruggedness
Avalanche rated
Low package inductance
International standard packages
Resonant mode power supplies
High intensity discharge (HID) lamp ballast
AC and DC motor drives
DC-DC converters
Robotic and servo control
Battery chargers
3-level solar inverters
LED lighting
Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)
Higher efficiency
High power density
Easy to mount
Space savings
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 145 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 850 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 850 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 115 A 300 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3
