Nexperia N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BST82
- RS-artikelnummer:
- 112-5548
- Tillv. art.nr:
- BST82,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
11,31 kr
(exkl. moms)
14,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 995 enhet(er) levereras från den 10 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | 2,262 kr | 11,31 kr |
| 150 - 245 | 2,15 kr | 10,75 kr |
| 250 - 495 | 2,016 kr | 10,08 kr |
| 500 - 1245 | 1,904 kr | 9,52 kr |
| 1250 + | 1,86 kr | 9,30 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 3000)
3 306,00 kr
(exkl. moms)
4 132,50 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 112-5548
- Tillv. art.nr:
- BST82,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 190mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | BST82 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 830mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 190mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie BST82 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 830mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V och högre, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BST82
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 850 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH103
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 150 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS123
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 335 mA 55 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH111BK
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 8.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV16XN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV20XNE