Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMBF170
- RS-artikelnummer:
- 484-3536
- Tillv. art.nr:
- PMBF170,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 12,60 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
63,05 kr
(exkl. moms)
78,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 27 januari 2027
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 13 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,261 kr | 63,05 kr | - |
| 100 - 200 | 1,135 kr | 56,75 kr | 12,60 kr |
| 250 + | 1,008 kr | 50,40 kr | 63,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 484-3536
- Tillv. art.nr:
- PMBF170,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | PMBF170 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 830mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie PMBF170 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 830mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMBF170
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX7002AK
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH201
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV20XNE
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 5.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV30UN2
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 8.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV16XN