Nexperia N Kanal, MOSFET, 8.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV16XN
- RS-artikelnummer:
- 170-5355
- Tillv. art.nr:
- PMV16XNR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Få en mängdrabatt
Lägg till 250 till för att spara 458,50 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
170,90 kr
(exkl. moms)
213,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 3,418 kr | 170,90 kr | - |
| 250 - 450 | 1,584 kr | 79,20 kr | 458,50 kr |
| 500 - 1200 | 1,501 kr | 75,05 kr | 958,50 kr |
| 1250 - 2450 | 1,322 kr | 66,10 kr | 2 620,00 kr |
| 2500 + | 1,29 kr | 64,50 kr | 5 320,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 170-5355
- Tillv. art.nr:
- PMV16XNR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | PMV16XN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 33mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.94W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie PMV16XN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 6.94W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Omkopplingslösningar för dina bärbara konstruktioner. Välj bland ett brett utbud av MOSFET med enkel och dubbel N-kanal upp till 20 V. Stor tillförlitlighet tack vare vår pålitliga TrenchMOS- och kapslingsteknik. Våra lågspännings MOSFET är lättanvända och speciellt utformade för att uppfylla kraven i bärbara tillämpningar med låga driftspänningar.
N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i en liten SOT23 (TO-236AB) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Trench MOSFET-teknik
Låg tröskelspänning
Mycket snabb omkoppling
Förbättrad effektförlustkapacitet på 1200 mW
Måltillämpningar
LED-drivenhet
Strömhantering
Lastomkopplare på låg sida
Omkopplingskretsar
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 8.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV16XN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV20XNE
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 5.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV30UN2
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMBF170
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BST82
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 850 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH103
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002