Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002
- RS-artikelnummer:
- 436-7379
- Tillv. art.nr:
- 2N7002,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
39,10 kr
(exkl. moms)
48,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 130 225 enhet(er) levereras från den 05 maj 2027
- Dessutom levereras 111 000 enhet(er) från den 12 maj 2027
- Dessutom levereras 207 000 enhet(er) från den 02 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | 1,564 kr | 39,10 kr |
| 150 - 725 | 1,407 kr | 35,18 kr |
| 750 + | 1,254 kr | 31,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 436-7379
- Tillv. art.nr:
- 2N7002,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 830mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie 2N7002 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 830mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- Microchip Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH201
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMBF170
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX7002AK
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 380 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101