Nexperia N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 151-2761
- Tillv. art.nr:
- NX7002BKR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 250 enheter)*
128,00 kr
(exkl. moms)
160,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 15 000 enhet(er) från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | 0,512 kr | 128,00 kr |
| 500 - 1000 | 0,487 kr | 121,75 kr |
| 1250 - 2250 | 0,307 kr | 76,75 kr |
| 2500 + | 0,292 kr | 73,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-2761
- Tillv. art.nr:
- NX7002BKR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 270mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.67W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 270mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.67W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Logiska och standardnivå MOSFET-transistorer i en mängd olika förpackningar. Ta ett urval av våra robusta och lättanvända MOSFET-transistorer i 40 V till 60 V-området, en del av vår stora MOSFET-enhetsportfölj. De är perfekta för utrymmes- och strömkritiska tillämpningar, ger utmärkt omkopplingsprestanda och klassledande säkert driftsområde (SOA).
60 V, N-kanal Trench MOSFET, N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i en liten SOT23 (TO-236AB) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Logiknivåkompatibel
Mycket snabb omkoppling
Trench MOSFET-teknik
>
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV20XNE
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 5.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV30UN2
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMBF170
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 8.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV16XN
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BST82
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 850 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH103
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002