Nexperia N Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV20XNE
- RS-artikelnummer:
- 170-5372
- Tillv. art.nr:
- PMV20XNER
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
79,53 kr
(exkl. moms)
99,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 24 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 3,181 kr | 79,53 kr |
| 250 - 600 | 1,416 kr | 35,40 kr |
| 625 - 1225 | 1,393 kr | 34,83 kr |
| 1250 - 2475 | 1,344 kr | 33,60 kr |
| 2500 + | 1,317 kr | 32,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 170-5372
- Tillv. art.nr:
- PMV20XNER
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | PMV20XNE | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 38mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.94W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie PMV20XNE | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 38mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 6.94W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Robust gränssnitt mellan asynkrona och synkrona system. Flip-flops är grundläggande lagringselement inom digital elektronik. Genom att endast låta utgången ändras vid en flanktransaktion ger flip-flops ett robust gränssnitt mellan asynkrona och synkrona system. Med möjlighet att välja antingen positiv eller negativ kantutlösning ger de extra flexibilitet i konstruktionen.
N-kanalig Fält-Effekt Transistor (FET) i ett litet SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Trench MOSFET-teknik
Låg tröskelspänning
Förbättrad effektavledningsförmåga på 1200 mW
Skydd mot elektrostatisk urladdning (ESD): 2 kV HBM
Målgruppsapplikationer
Förare av relä
Höghastighets linjedrivdon
Lågsidig lastbrytare
Kopplingskretsar
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV20XNE
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH201
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.05 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH105
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH108
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSN20BK
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 850 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH103