Nexperia N Kanal, MOSFET, 5.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV30UN2

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
170-4846
Tillv. art.nr:
PMV30UN2R
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

PMV30UN2

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

100mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.2nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.4mm

Längd

3mm

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Omkopplingslösningar för dina bärbara konstruktioner. Välj bland ett brett utbud av MOSFET med enkel och dubbel N-kanal upp till 20 V. Stor tillförlitlighet tack vare vår pålitliga TrenchMOS- och kapslingsteknik. Våra lågspännings MOSFET är lättanvända och speciellt utformade för att uppfylla kraven i bärbara tillämpningar med låga driftspänningar.

N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i en liten SOT23 (TO-236AB) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.

Trench MOSFET-teknik

Låg tröskelspänning

Mycket snabb omkoppling

Förbättrad effektförlustkapacitet på 1000 mW

Måltillämpningar

LED-drivenhet

Strömhantering

Lastomkopplare på låg sida

Omkopplingskretsar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.