STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 600 V, 8 Ben, TO-LL, STO60
- RS-artikelnummer:
- 358-979
- Tillv. art.nr:
- STO60N045DM9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
95,65 kr
(exkl. moms)
119,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 300 enhet(er) levereras från den 18 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 95,65 kr |
| 10 - 99 | 86,13 kr |
| 100 - 499 | 79,41 kr |
| 500 - 999 | 73,70 kr |
| 1000 + | 66,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 358-979
- Tillv. art.nr:
- STO60N045DM9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Uteffekt | 255W | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | STO60 | |
| Kapseltyp | TO-LL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 11.88mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Uteffekt 255W | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie STO60 | ||
Kapseltyp TO-LL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 11.88mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET är baserad på den mest innovativa super-junction MDmesh DM9-tekniken, lämplig för medel-/högspännings-MOSFET. Den silikonbaserade DM9-tekniken drar nytta av en tillverkningsprocess med flera avlopp som möjliggör en förbättrad enhetsstruktur. Dioden har mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), tid (trr) och RDS(on) vilket gör denna snabba super-junction Power MOSFET skräddarsydd för de mest krävande högeffektiva bryggtopologierna och ZVS-fasförskjutningsomvandlare.
Husdiod för snabb återhämtning
Mycket låg FOM
Låg ingångskapacitans och motstånd
100-procentigt lavintestat
Extremt hög dv-för-dt-robusthet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 600 V, 8 Ben, TO-LL, STO60
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 600 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 600 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, STP50N60DM6
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 545 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 62 A 600 V N, 3 Ben, TO-247, STWA60N0
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-LL, CoolSiC