STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 600 V, 8 Ben, TO-LL, STO60

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

93,14 kr

(exkl. moms)

116,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 993,14 kr
10 - 9983,84 kr
100 - 49977,29 kr
500 - 99971,66 kr
1000 +64,32 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
358-979
Tillv. art.nr:
STO60N045DM9
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

55A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Uteffekt

255W

Serie

STO60

Kapseltyp

TO-LL

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

N-kanal

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

11.88mm

Höjd

2.4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh DM9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs. The silicon-based DM9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The diode featuring very low recovery charge (Qrr), time (trr) and RDS(on) makes this fast-switching super-junction Power MOSFET tailored for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast recovery body diode

Very low FOM

Low input capacitance and resistance

100 percent avalanche tested

Extremely high dv by dt ruggedness

Relaterade länkar