STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 600 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL
- RS-artikelnummer:
- 228-3052
- Tillv. art.nr:
- STO65N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 228-3052
- Tillv. art.nr:
- STO65N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-LL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 76mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 65.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 320W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-LL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 76mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 320W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics högspännings N-kanal Power MOSFET är en del av MDmesh DM6-seriens snabba återhämtningsdioder. Jämfört med den tidigare MDmesh snabba generationen kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med ett av de mest effektiva omkopplingsbeteenden som finns på marknaden för de mest krävande högeffektiva brotopologierna och ZVS-fasomvandlarna.
Husdiod med snabb återhämtning
Lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation
Låg grindladdning, ingångskapacitet och motstånd
100 % avalanche-testade
Extremt hög dv/dt robusthet
Zener-skyddad
Utmärkt omkopplingsprestanda tack vare den extra drivande källans pin
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 600 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 600 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, STP50N60DM6
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 600 V, 8 Ben, TO-LL, STO60
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 600 V, 8 Ben, TO-LL, STO60
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 545 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 600 V Förbättring, 8 Ben
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 5 Ben
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT