STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 545 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, STripFET F7
- RS-artikelnummer:
- 558-985
- Tillv. art.nr:
- STO450N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 1800 enheter)*
78 184,80 kr
(exkl. moms)
97 731,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1800 + | 43,436 kr | 78 184,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 558-985
- Tillv. art.nr:
- STO450N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 545A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Kapseltyp | TO-LL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Standarder/godkännanden | ECOPACK | |
| Längd | 10.58mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 545A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STripFET F7 | ||
Kapseltyp TO-LL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.4mm | ||
Standarder/godkännanden ECOPACK | ||
Längd 10.58mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET använder STripFET F7-teknik med en förbättrad trenchgrindstruktur som resulterar i mycket låg påslagningsresistans, samtidigt som den minskar intern kapacitans och grindladdning för snabbare och mer effektiv omkoppling.
Bland de lägsta RDSon på marknaden
Utmärkt FoM
Hög motståndskraft mot laviner
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 545 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 600 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET