STMicroelectronics N-kanal N Kanal, MOSFET, 545 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, STripFET F7
- RS-artikelnummer:
- 558-985
- Tillv. art.nr:
- STO450N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 1800 enheter)*
62 548,20 kr
(exkl. moms)
78 184,80 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1800 + | 34,749 kr | 62 548,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 558-985
- Tillv. art.nr:
- STO450N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 545A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-LL | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 10.58mm | |
| Bredd | 10.1mm | |
| Standarder/godkännanden | ECOPACK | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 545A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-LL | ||
Serie STripFET F7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 10.58mm | ||
Bredd 10.1mm | ||
Standarder/godkännanden ECOPACK | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET använder STripFET F7-teknik med en förbättrad trenchgrindstruktur som resulterar i mycket låg påslagningsresistans, samtidigt som den minskar intern kapacitans och grindladdning för snabbare och mer effektiv omkoppling.
Bland de lägsta RDSon på marknaden
Utmärkt FoM
Hög motståndskraft mot laviner
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal N Kanal, MOSFET, 545 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 140 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET F7
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET F7
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET F7
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 46 A 600 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL