STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 600 V, 8 Ben, TO-LL, STO60
- RS-artikelnummer:
- 358-978
- Tillv. art.nr:
- STO60N030M9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
138,07 kr
(exkl. moms)
172,59 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 138,07 kr |
| 10 - 99 | 124,32 kr |
| 100 + | 114,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 358-978
- Tillv. art.nr:
- STO60N030M9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 79A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Uteffekt | 255W | |
| Kapseltyp | TO-LL | |
| Serie | STO60 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 10mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 79A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Uteffekt 255W | ||
Kapseltyp TO-LL | ||
Serie STO60 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 10mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super-junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.
Very low FOM
Higher VDSS rating
Higher dv by dt capability
Easy to drive
100 percent avalanche tested
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal 55 A 600 V TO-LL, STO60
- STMicroelectronics Typ N Kanal 46 A 600 V Förbättring TO-LL
- STMicroelectronics Typ N Kanal 36 A 600 V Förbättring TO-LL, STP50N60DM6
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal 545 A 60 V Förbättring TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics N-kanal Kanal 62 A 600 V N TO-247, STWA60N0
- Infineon N-kanal Kanal 30 A 650 V Förbättring TO-LL, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal 68 A 440 V Förbättring TO-LL, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal 144 A 440 V Förbättring TO-LL, CoolSiC
