Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-LL, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 762-923
- Tillv. art.nr:
- IMTA65R075M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
59,81 kr
(exkl. moms)
74,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 59,81 kr |
| 10 - 99 | 39,76 kr |
| 100 - 499 | 28,67 kr |
| 500 - 999 | 27,44 kr |
| 1000 + | 24,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-923
- Tillv. art.nr:
- IMTA65R075M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | TO-LL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal effektförlust Pd | 141W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 8.2mm | |
| Längd | 8.2mm | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp TO-LL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal effektförlust Pd 141W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 8.2mm | ||
Längd 8.2mm | ||
Höjd 1.6mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET ger oöverträffad prestanda, överlägsen tillförlitlighet och stor användarvänlighet. Det möjliggör kostnadseffektiva, högeffektiva och förenklade konstruktioner för att uppfylla de ständigt växande system- och marknadsbehoven.
Mycket låga omkopplingsförluster
Förbättrar systemets robusthet och tillförlitlighet
Underlättar användarvänlighet och integration
Minskar systemens storlek, vikt och materialförmåga
Relaterade länkar
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 440 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 111 A 440 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 68 A 440 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 74 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 74 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 26.6 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 28 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 650 V, 4 Ben, Tejp och rulle, CoolSiC AEC-Q101