STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 62 A 600 V N, 3 Ben, TO-247, STWA60N0
- RS-artikelnummer:
- 762-554
- Tillv. art.nr:
- STWA60N035M9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
82,88 kr
(exkl. moms)
103,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 149 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 82,88 kr |
| 10 + | 60,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-554
- Tillv. art.nr:
- STWA60N035M9
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 62A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | STWA60N0 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 321W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 112nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 15.9mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Längd | 21.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 62A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie STWA60N0 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 321W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 112nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 15.9mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Längd 21.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanal Super Junction Power MOSFET är en högeffektiv kraftanordning byggd på Advanced MDmesh M9 super junction-teknik. Den är utformad för tillämpningar med medel till hög spänning där låga ledningsförluster och snabb omkoppling är avgörande.
Mycket låg FOM
Högre dv/dt-kapacitet
Utmärkta omkopplingsegenskaper
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, Sct
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 600 V Avskrivningar, 4 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 58 A 650 V Förbättringsläge, 4 Ben, PG-TO-247, STH285N10F8-6AG
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 110 A 900 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 90 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT019 AEC-Q101
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 94 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 104 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC