STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- RS-artikelnummer:
- 188-8527
- Tillv. art.nr:
- STB80NF55-06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
186,82 kr
(exkl. moms)
233,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 37,364 kr | 186,82 kr |
| 50 - 120 | 32,256 kr | 161,28 kr |
| 125 + | 25,94 kr | 129,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8527
- Tillv. art.nr:
- STB80NF55-06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 142nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 4.37mm | |
| Bredd | 9.35mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 142nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 4.37mm | ||
Bredd 9.35mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Denna effekt-MOSFET är den senaste utvecklingen av STMicroelectronis unika ""Single Feature SizeTM" remsbaserad process." Den resulterande transistorn visar extremt hög packningstäthet för låg påslagningsresistans, robusta avalanchegenskaper och mindre kritiska inriktningssteg och därför en anmärkningsvärd tillverkningsrepeterbarhet.
Exceptionell dv/dt-kapacitet
Applikationsorienterad karakterisering
Användningsområden
Omkopplingstillämpning
Användningsområden
Omkopplingstillämpning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET F3 AEC-Q101