STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- RS-artikelnummer:
- 188-8527
- Tillv. art.nr:
- STB80NF55-06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
174,72 kr
(exkl. moms)
218,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 34,944 kr | 174,72 kr |
| 25 - 45 | 32,816 kr | 164,08 kr |
| 50 - 120 | 31,068 kr | 155,34 kr |
| 125 - 245 | 29,344 kr | 146,72 kr |
| 250 + | 28,00 kr | 140,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8527
- Tillv. art.nr:
- STB80NF55-06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 142nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 4.37mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 142nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 4.37mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Exceptional dv/dt capability
Application oriented characterization
Applications
Switching application
Applications
Switching application
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 55 V Förbättring TO-263
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 55 V Förbättring TO-263, STripFET II
- Infineon Typ N Kanal 80 A 55 V Förbättring TO-263, OptiMOS
- STMicroelectronics Typ N Kanal 55 A 60 V Förbättring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 100 V Förbättring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 100 V Förbättring TO-263, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 55 V Förbättring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 55 V Förbättring TO-252, STripFET F3 AEC-Q101