Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 1200 V Förbättring, EasyDUAL, CoolSiCTM Trench MOSFET
- RS-artikelnummer:
- 349-253
- Tillv. art.nr:
- FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
2 366,34 kr
(exkl. moms)
2 957,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 18 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 2 366,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-253
- Tillv. art.nr:
- FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | EasyDUAL | |
| Serie | CoolSiCTM Trench MOSFET | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp EasyDUAL | ||
Serie CoolSiCTM Trench MOSFET | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineons EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET-halvbryggmodul är en 1200 V-modul med ett lågt grindmotstånd på 4 mΩ G1 och är utrustad med en integrerad NTC-temperatursensor för exakt termisk övervakning. Den innehåller också förtillverkad termisk gränssnittsmaterial för förbättrad värmeavledning och använder PressFIT-kontaktteknik, vilket säkerställer tillförlitliga och effektiva elektriska anslutningar. Denna modul är utformad för högpresterande tillämpningar där effektiv strömomvandling och värmehantering är avgörande.
Robust montering tack vare integrerade monteringsklämmor
PressFIT-kontaktteknik
Inbyggd NTC-temperatursensor
Förtillverkad termisk gränssnittsmaterial
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 1200 V Förbättring, EasyDUAL, CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 185 A 1200 V Förbättring
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 280 A 1200 V Förbättring
- Nexperia 2 Typ P Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 500 mA -20 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 260 mA 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, F4-11MR12W2M1H_B70