Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 185 A 1200 V Förbättring

Antal (1 enhet)*

5 123,78 kr

(exkl. moms)

6 404,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 8 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +5 123,78 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-315
Tillv. art.nr:
FF3MR12KM1HHPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

185A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Typ av fäste

Skruv

Maximal drain-källresistans Rds

6.32mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

5.59V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
HU
The Infineon 62 mm CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module is housed in the well-known 62 mm packaging, combining the latest M1H chip technology for optimal performance. This module delivers high current density, making it ideal for applications that require compact yet powerful solutions. It offers low switching losses, ensuring efficient operation even at high frequencies, and features superior gate oxide reliability for enhanced durability over time.

Minimizes cooling efforts

Reduction in volume and size

Reduced system costs

Symmetrical module design

Standard construction technique

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.